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Transistor

2PCS IPB180N10S4-02 4N1002 TO-263-7 N-Kanal 100V MOSFET Hochstrom-Feldeffekttransistor mit niedrigem Innenwiderstand

26,90 €

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2PCS IPB180N10S4-02 4N1002 TO-263-7 N-Kanal 100V MOSFET Hochstrom-Feldeffekttransistor mit niedrigem Innenwiderstand – Detail 1 2PCS IPB180N10S4-02 4N1002 TO-263-7 N-Kanal 100V MOSFET Hochstrom-Feldeffekttransistor mit niedrigem Innenwiderstand – Detail 2

Produkteigenschaften

Markenname
ZHENGYANGWEI ELECTRONICS
Hochbetriebenes Chemikalienunternehmen
Keine
Ursprung
CN (Herkunft)
Zustand
Neu
Pakettyp
Oberflächenmontage
Modellnummer
IPB180N10S4-02
Typ
Feldeffekttransistor
Choice
yes
semi_Choice
yes

Artikelnummer: 1005011977588302